(资料图片)
据国星光电(002449)消息,近日,国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术,推出“NS62m SiC MOSFET功率模块新品”,可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。目前,国星光电正加速深入第三代半导体赛道,推动产品迭代更新。
标签:
环球精选!年末需求端缺乏实质支撑
12月29日基金净值:易方达科翔混合最新净值4.666,涨0.02%-时讯
无锡元旦梅花开了吗 世界今热点
政策利率MLF先降 5年期LPR下调概率更大